| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | ZXMC3F31DN8TA |
| 说明 | MOSFET 8-SO |
| 起订量 | 500 |
| 最小包 | 500 |
| 现货 | 1454 [库存更新时间：1970-01-01] |
| FET类型 | N+P-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 24mΩ@7A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 608pF @ 15V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12.9nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 6.8A,4.9A |
IC普拉斯 元器件现货