参数	值
产品	未分类
型号编码	TK56A12N1,S4X(S
说明	未分类   TO-220SIS 10mm 10x4.5x15mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2024-05-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	56 A
漏源极电压Vds	120 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.5 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220SIS
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	45W
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	10mm
高度	15mm
系列	TK
宽度	4.5mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	4200 pF @ 60 V
典型关断延迟时间	73 ns
典型接通延迟时间	45 ns
封装/外壳	10 x 4.5 x 15mm