参数	值
产品	未分类
型号编码	TK42A12N1,S4X(S
说明	未分类   TO-220SIS 10mm 10x4.5x15mm
起订量	5
最小包	5
现货	452 [库存更新时间：2024-05-05]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	42 A
漏源极电压Vds	120 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.4 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220SIS
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	35W
长度	10mm
封装/外壳	10 x 4.5 x 15mm
宽度	4.5mm
高度	15mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	3100 pF @ 60 V
典型关断延迟时间	64 ns
典型接通延迟时间	40 ns
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
系列	TK