参数	值
产品	未分类
型号编码	TK32E12N1,S1X(S
说明	未分类   TO-220 10.16x4.45x15.1mm 10.16mm
起订量	5
最小包	5
现货	452 [库存更新时间：2024-05-08]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	60 A
漏源极电压Vds	120 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	13.8 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	98 W
高度	15.1mm
封装/外壳	10.16 x 4.45 x 15.1mm
宽度	4.45mm
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2000 pF @ 60 V
典型关断延迟时间	43 ns
典型接通延迟时间	33 ns
长度	10.16mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
系列	TK