参数	值
产品	未分类
型号编码	TK49N65W,S1F(S
说明	未分类   TO-247 15.94mm 15.94x5.02x20.95mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	49 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	55 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	400W
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	15.94mm
高度	20.95mm
系列	TK
宽度	5.02mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	6500 pF @ 300 V
典型关断延迟时间	270 ns
典型接通延迟时间	130 ns
封装/外壳	15.94 x 5.02 x 20.95mm