参数	值
产品	未分类
型号编码	TK4R3E06PL
说明	未分类   TO-220 10.16mm 10.16x15.1x4.45mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2024-05-22]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.2 m0hms
栅极电压Vgs	2.5V
最小栅阈值电压	1.5V
栅极电压Vgs	±20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	87 W
典型接通延迟时间	24 ns
典型关断延迟时间	55 ns
漏源极电压Vds	3280 pF @ 30 V
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	15.1mm
长度	10.16mm
高度	4.45mm
封装/外壳	10.16 x 15.1 x 4.45mm
最高工作温度	+175 °C