参数	值
产品	未分类
型号编码	TK55S10N1
说明	未分类   DPAK 6.5x7x2.3mm 6.5mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2024-05-22]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	55 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.5 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	±20 V
封装/外壳	DPAK
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	157 W
高度	2.3mm
正向二极管电压	1.2V
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.5 x 7 x 2.3mm
长度	6.5mm
汽车标准	AEC-Q101
漏源极电压Vds	3280 pF @ 10 V
典型关断延迟时间	51 ns
典型接通延迟时间	28 ns
最高工作温度	+175 °C
宽度	7mm