参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STN3P6F6
说明	通用MOSFET   TO-261-4,TO-261AA SOT-223
品牌	ST(意法半导体)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8125 [库存更新时间：2024-05-08]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VI
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	340pF @ 48V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.6W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	160mΩ@1.5A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-261-4,TO-261AA
封装/外壳	SOT-223
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	3A