参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	STN3NF06L
说明	功率MOSFET   SOT-223
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	107 [库存更新时间：2024-05-08]
系列	STripFET™ II
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.8V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	340pF @ 25V
栅极电压Vgs	±16V
Pd-功率耗散(Max)	3.3W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	100mΩ@1.5A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-223
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	4A