参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGWT30H65FB
说明	通用MOSFET   TO-3P
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1
最小包	30
现货	686 [库存更新时间：2025-04-15]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极（Ic）（最大值）	30A
脉冲电流-集电极(Icm)	120A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2V @ 15V,30A
Pd-功率耗散(Max)	260W
开关能量	151µJ(开),293µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	37ns/146ns
测试条件	400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-3P