参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGW60H65DRF
说明	通用MOSFET   TO-247
品牌	ST(意法半导体)
起订量	30
最小包	30
现货	369 [库存更新时间：2024-05-19]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极（Ic）（最大值）	120A
脉冲电流-集电极(Icm)	240A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.4V @ 15V,60A
Pd-功率耗散(Max)	420W
开关能量	940µJ(开),1.06mJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	85ns/178ns
测试条件	400V,60A,10 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	19ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-247