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    RF三极管 BFS 466L6 E6327 封装/外壳:TSLP-6-1 直流电流增益hFE:90,90 工作温度:150℃(TJ)
    RF三极管 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 封装/外壳:TSLP-3-9 功率耗散Pd:75mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:2.25V 集电极连续电流:35mA 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:75GHz VCBO:2.9V 工作温度:-55℃~150℃
    RF三极管 BFQ19SH6327XTSA1 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:1W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:15V 集电极连续电流:120mA 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:5.5GHz VEBO:3V VCBO:20V 工作温度:-65℃~150℃
    RF三极管 BFP843H6327XTSA1 封装/外壳:SOT-343 功率耗散Pd:125mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:2.25V 集电极连续电流:55mA 直流电流增益hFE:150 VCBO:2.9V 工作温度:-55℃~150℃
    RF三极管 BFP843FH6327XTSA1 封装/外壳:TSFP-4 功率耗散Pd:125mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:2.25V 集电极连续电流:55mA 直流电流增益hFE:150 VCBO:2.9V 工作温度:-55℃~150℃
    RF三极管 BFP760H6327XTSA1 封装/外壳:SOT-343 功率耗散Pd:240mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:4V 集电极连续电流:70mA 直流电流增益hFE:160 特征频率fT:45GHz VEBO:1.2V VCBO:13V 工作温度:-55℃~150℃
    RF三极管 BFP740FH6327XTSA1 封装/外壳:TSFP-4 功率耗散Pd:160mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:4V 集电极连续电流:45mA 直流电流增益hFE:160 特征频率fT:45GHz VEBO:1.2V VCBO:13V 工作温度:-55℃~150℃
    RF三极管 BFS483H6327XTSA1 Infineon(英飞凌) 不同 Ic、Vce 时DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 15mA,8V 功率-最大值:450mW 噪声系数(dB,不同f时的典型值):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 工作温度:150°C(TJ) 晶体管类型:2 NPN(双) 电压-集射极击穿(最大值):12V 电流-集电极(Ic)(最大值):65mA 频率-跃迁:8GHz
    RF三极管 BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon(英飞凌) 不同 Ic、Vce 时DC电流增益(hFE)(最小值):160 @ 25mA,3V 功率-最大值:160mW 噪声系数(dB,不同f时的典型值):0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 增益:24.5dB 封装/外壳:SC-101,SOT-883 工作温度:150°C(TJ) 晶体管类型:NPN 电压-集射极击穿(最大值):4.7V 电流-集电极(Ic)(最大值):30mA 频率-跃迁:42GHz
    RF三极管 BFR182WH6327XTSA1 Infineon(英飞凌) 不同 Ic、Vce 时DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,8V 功率-最大值:250mW 噪声系数(dB,不同f时的典型值):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度:150°C(TJ) 晶体管类型:NPN 电压-集射极击穿(最大值):12V 电流-集电极(Ic)(最大值):35mA 频率-跃迁:8GHz
    RF三极管 BFR181WH6327XTSA1 Infineon(英飞凌) 不同 Ic、Vce 时DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,8V 功率-最大值:175mW 噪声系数(dB,不同f时的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度:150°C(TJ) 晶体管类型:NPN 电压-集射极击穿(最大值):12V 电流-集电极(Ic)(最大值):20mA 频率-跃迁:8GHz
    RF三极管 BFQ19SH6327XTSA1 Infineon(英飞凌) 不同 Ic、Vce 时DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 70mA,8V 功率-最大值:1W 噪声系数(dB,不同f时的典型值):3dB @ 1.8GHz 增益:7dB 封装/外壳:TO-243AA 工作温度:150°C(TJ) 晶体管类型:NPN 电压-集射极击穿(最大值):15V 电流-集电极(Ic)(最大值):120mA 频率-跃迁:5.5GHz

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