参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGF30H60DF
说明	通用MOSFET   TO-220FP
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2481 [库存更新时间：2025-12-19]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极（Ic）（最大值）	60A
脉冲电流-集电极(Icm)	120A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.4V @ 15V,30A
Pd-功率耗散(Max)	37W
开关能量	350µJ(开),400µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	50ns/160ns
测试条件	400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	110ns
工作温度	-40°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220FP
栅极发射机最大电压	20 V
标准包装数量	50
系列	STGF30H60DF
连续集电极电流在25 C	60 A
配置	Single
集电极-发射极最大电压VCEO	600 V
集电极-发射极饱和电压	2.4 V
功率散耗	37 W
最低工作温度	- 40 C
最高工作温度	+ 175 C
栅射极漏电电流	250 nA