参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STF100N10F7
说明	通用MOSFET   TO-220-3 TO-220FP
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1000
最小包	50
现货	2004 [库存更新时间：1970-01-01]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VII
连续漏极电流Id	45A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	61nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4369pF @ 50V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	30W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8m Ohms@22.5A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
封装/外壳	TO-220FP
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80A
最高工作温度	+ 175 C
30 W	Pd - 功率消耗
下降时间	15 ns
最低工作温度	- 55 C
上升时间	40 ns
FET类型	N-Channel
标准包装数量	50
标准断开延迟时间	46 ns
漏源极电压Vds	100V
栅极电压Vgs	20V
连续漏极电流Id	45A
Rds On(Max)@Id,Vgs	8mΩ
配置	Single
栅极电压Vgs	2V,to4V
61 nC	Qg - 闸极充电