参数	值
产品	未分类
型号编码	SPP21N50C3HKSA1
说明	未分类   PG-TO220-3-1 TO-220-3 TO-220 10.36x4.57x9.45mm 10.36mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	295 [库存更新时间：2024-05-29]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	560V
连续漏极电流Id	21A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	95nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2400pF @ 25V
功率	208W
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 毫欧 @ 13.1A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3-1
封装/外壳	TO-220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	21 A
漏源极电压Vds	560 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 m0hms
栅极电压Vgs	3.9V
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	208 W
高度	9.45mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.36 x 4.57 x 9.45mm
宽度	4.57mm
系列	CoolMOS C3
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2400 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	67 ns
典型接通延迟时间	10 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	10.36mm