参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPP20N60S5
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	295 [库存更新时间：2025-04-02]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	103nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3000pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	20A
Rds On(Max)@Id,Vgs	190mΩ
栅极电压Vgs	20V
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	208W
高度	15.65mm
长度	10mm
系列	CoolMOSS5
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
下降时间	30ns
上升时间	25ns
典型关闭延迟时间	140ns
典型接通延迟时间	120ns