参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPP17N80C3
说明	功率MOSFET   10mm PG-TO220-3-1
品牌	Infineon(英飞凌)
现货	295 [库存更新时间：1970-01-01]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	88nC
配置	Single
高度	15.65mm
长度	10mm
系列	CoolMOSC3
宽度	4.4mm
下降时间	12ns
上升时间	15ns
典型关闭延迟时间	72ns
典型接通延迟时间	25ns
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	17A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	177nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2320pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	208W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	290mΩ@11A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3-1