参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPD09P06PLGBTMA1
说明	通用MOSFET   DPAK PG-TO252-3 PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	190 [库存更新时间：2025-04-02]
封装/外壳	DPAK
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	9.7A
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	9.7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	21nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	450pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	250 毫欧 @ 6.8A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	PG-TO252-3