参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SPB02N60S5 |
说明 | 功率MOSFET 10mm D2PAK(TO-263) |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 290 [库存更新时间:2025-04-06] |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 25W |
高度 | 4.4mm |
长度 | 10mm |
系列 | CoolMOSS5 |
宽度 | 9.25mm |
下降时间 | 20ns |
上升时间 | 35ns |
典型关闭延迟时间 | 35ns |
典型接通延迟时间 | 35ns |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3000mΩ |
漏源极电压Vds | 600V |
连续漏极电流Id | 1.8A |
封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
Rth | 5.0K/W |
QG | 7.3nC |
Ptot max | 25.0W |
FET类型 | N-Channel |
栅极电压Vgs | 3.5V,5.5V |
工作温度 | -55°C~150°C |