参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPS02N60C3
说明	功率MOSFET   6.73mm PG-TO251-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	295 [库存更新时间：2025-04-02]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	200pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	1.8A
Rds On(Max)@Id,Vgs	3Ω
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	9.5nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	25W
高度	6.22mm
长度	6.73mm
系列	CoolMOSC3
FET类型	N-Channel
宽度	2.38mm
下降时间	12ns
上升时间	3ns
典型关闭延迟时间	68ns
典型接通延迟时间	6ns
封装/外壳	PG-TO251-3