参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | SPB02N60C3ATMA1 |
说明 | 未分类 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 295 [库存更新时间:2024-06-08] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 650V |
连续漏极电流Id | 1.8A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 80µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.5nC @ 10V |
栅极电压Vgs | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 200pF @ 25V |
功率 | 25W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3 欧姆 @ 1.1A,10V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳 | PG-TO263-3 |