参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI8429DB-T1-E1
说明	通用MOSFET   4-XFBGA,CSPBGA MicroFoot-4
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	142 [库存更新时间：2025-04-12]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	11.7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.2V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	26nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1640pF @ 4V
栅极电压Vgs	±5V
Pd-功率耗散(Max)	2.77W(Ta),6.25W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	35m Ohms@1A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	4-XFBGA,CSPBGA
封装/外壳	MicroFoot-4
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	8V
连续漏极电流Id	7.8A
Rds On(Max)@Id,Vgs	43mΩ