参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4931DY-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 396 [库存更新时间:2024-05-22] |
连续漏极电流Id | 6.7A |
FET类型 | 2P-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 mOhms @ 8.9A,4.5V |
Vgs(th) | 1V @ 350uA |
Pd-功率耗散(Max) | 1.1W |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 12V |
参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4931DY-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 396 [库存更新时间:2024-05-22] |
连续漏极电流Id | 6.7A |
FET类型 | 2P-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 mOhms @ 8.9A,4.5V |
Vgs(th) | 1V @ 350uA |
Pd-功率耗散(Max) | 1.1W |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 12V |