参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI4491EDY-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SO-8 -30V
品牌	Vishay(威世)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5294 [库存更新时间：2025-04-17]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	17.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	153nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4620pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.5mΩ@13A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SO-8
Pd-功率耗散(Max)	6.9W
电压	-30V