参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI4410DYPBF
说明	功率MOSFET   5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	295 [库存更新时间：2024-05-26]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1585pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	10A
Rds On(Max)@Id,Vgs	14mΩ
引脚数目	8
晶体管配置	单
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	5mm
高度	1.50mm
系列	HEXFET
宽度	4mm
晶体管材料	Si
典型关断延迟时间	38 ns
典型接通延迟时间	11 ns