参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4485DY-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 396 [库存更新时间:2024-05-06] |
连续漏极电流Id | 6A(Tc) |
FET类型 | P-Channel |
Vgs(最大值) | ±20V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 42 mOhms @ 5.9A,10V |
Vgs(th) | 2.5V @ 250uA |
Pd-功率耗散(Max) | 2.4W(Ta),5W(Tc) |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 30V |