参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI2336DS-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SOT-23-3 2.9mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	33142 [库存更新时间：2025-04-05]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	560pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3
连续漏极电流Id	5.2A
Pd-功率耗散(Max)	1.8W
Qg-栅极电荷	10nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	42mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	400mV
上升时间	10ns
下降时间	10ns
典型关闭延迟时间	20ns
典型接通延迟时间	6ns
宽度	1.60mm
正向跨导 - 最小值	30S
系列	SI2
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	2.9mm
高度	1.45mm