参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	SI2328DS-T1-GE3
说明	小信号MOSFET   SOT-23-3 2.9mm
起订量	3
最小包	3
现货	440 [库存更新时间：2024-05-19]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5nC @ 10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3
连续漏极电流Id	1.15A
Pd-功率耗散(Max)	0.73W
Qg-栅极电荷	3.3nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	250mΩ
漏源极电压Vds	100V
栅极电压Vgs	2V
上升时间	11ns
下降时间	10ns
典型关闭延迟时间	9ns
典型接通延迟时间	7ns
宽度	1.60mm
正向跨导 - 最小值	4S
系列	SI2
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	2.9mm
高度	1.45mm