| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | SQ2310ES-T1_GE3 |
| 说明 | 功率MOSFET SOT-23-3 |
| 起订量 | 3 |
| 最小包 | 3 |
| 现货 | 443 [库存更新时间：2025-04-17] |
| 系列 | SQ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±8V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 10V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@5A,4.5V |
IC普拉斯 元器件现货
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