参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI1029X-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET SOT-563,SOT-666 SC-89-6 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 104 [库存更新时间:2025-04-11] |
系列 | TrenchFET® |
连续漏极电流Id | 305mA,190mA |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4 Ohms@500mA,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.75nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 30pF @ 25V |
Pd-功率耗散(Max) | 250mW |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/外壳 | SC-89-6 |
FET类型 | N+P-Channel |
漏源极电压Vds | 60V |
连续漏极电流Id | 305mA |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3 Ohms,8 Ohms |