参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RTR025N03TL
说明	功率MOSFET   2.9mm TSMT
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	484 [库存更新时间：2026-01-14]
系列	RTR
高度	0.85 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.6 mm
配置	Single
下降时间	10 ns
典型接通延迟时间	9 ns
上升时间	15 ns
通道数量	1 Channel
典型关闭延迟时间	25 ns
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	220pF @ 10V
栅极电压Vgs	12V
Pd-功率耗散(Max)	1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	92mΩ@2.5A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TSMT
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	2.5A