参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RQ7E110AJTCR
说明	功率MOSFET   8-SMD
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6146 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2410pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	1.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9mΩ@4.5A,11V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SMD