参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	QS8J2TR
说明	功率MOSFET   TSMT-8
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	1
最小包	3000
现货	247 [库存更新时间：2025-04-17]
连续漏极电流Id	4A
Pd-功率耗散(Max)	1.5W
Qg-栅极电荷	20nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	26mΩ
漏源极电压Vds	12V
栅极电压Vgs	10V
上升时间	60ns
下降时间	180ns
典型关闭延迟时间	300ns
典型接通延迟时间	10ns
封装/外壳	TSMT-8
正向跨导 - 最小值	5.5S
系列	QS8J2
通道数量	2Channel
配置	Dual
工作温度	-55°C~150°C