参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | QS6J11TR |
说明 | 通用MOSFET TSMT-6 |
品牌 | ROHM(罗姆) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 310 [库存更新时间:2024-05-12] |
600 mW | Pd - 功率消耗 |
封装/外壳 | TSMT-6 |
互导 - 最小值 | 2 S |
下降时间 | 35 ns |
上升时间 | 17 ns |
FET类型 | P-Channel |
标准包装数量 | 3000 |
标准断开延迟时间 | 65 ns |
漏源极电压Vds | -12V |
栅极电压Vgs | 10V |
连续漏极电流Id | 2A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 75mΩ |
配置 | Dual |
6.5 nC | Qg - 闸极充电 |
工作温度 | -55°C~150°C |