IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用存储器 | RP-SMPE16DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMSC08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMTE64DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMLF08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMLE32DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDUE12DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDME08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDGD64DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDGD32DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDFC51DA1 | ||
| 通用存储器 | M24512-RDW6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | M93C46-WMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb(128 x 8,64 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 | |
| 通用存储器 | M24C64-WMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | M24C32-RMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | M24C16-WMN6TP | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 存储容量:16kbit 宽度:4mm(Max) 工作电源电压:3.3V,5V 工作电源电流(mA):2mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:0.4MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.5V 电源电流—最大值:2mA 系列:M24C16-W 组织:2kx8 编程电压:2.5Vto5.5V 访问时间:900ns 长度:5mm(Max) 高度:1.65mm(Max) 工作温度:-40°C ~ 85°C | |
| 通用存储器 | M24C04-WMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | M24C02-RMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | RP-SMKC16DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SMKC08DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SMKC04DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SDPC04DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SDPC08DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SDPC16DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SDF02GDA1n: | ||
| 通用存储器 | BR24T02FVT-WE2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C~85°C(TA) 电压-供电:1.6V ~ 5.5V 技术:EEPROM 时钟频率:400kHz 封装/外壳:8-TSSOP-B 存储器格式:EEPROM 存储容量:2Kb(256 x 8) 写周期时间-字,页:5ms 存储器类型:非易失 存储器接口:I?C |
| 通用存储器 | ST25TV02K-AP6G3 | ST(意法半导体) | 系列:ST25TV02K |
| 通用存储器 | M93C86-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8,1K x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M93C76-RMN3TP/K | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI |
| 通用存储器 | M93C66-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M93C46-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb(128 x 8,64 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M34E04-FMC9TG | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFPN(2x3) 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C64-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C64S-FCU6T/TF | ST(意法半导体) | 系列:M24C64S-FCU |
| 通用存储器 | M24C64-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C64-FCU6TP/TF | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-XFBGA,WLCSP |
| 通用存储器 | M24C64-DRMN3TP/K | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:4ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C32-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C32-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C16-WMN6TP | ST(意法半导体) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 存储容量:16kbit 宽度:4mm(Max) 工作电源电压:3.3V,5V 工作电源电流(mA):2mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:0.4MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.5V 电源电流—最大值:2mA 系列:M24C16-W 组织:2kx8 编程电压:2.5Vto5.5V 访问时间:900ns 长度:5mm(Max) 高度:1.65mm(Max) 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 通用存储器 | M24C16-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C16-DRMN3TP/K | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C |
| 通用存储器 | M24C08-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C08-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C08-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C04-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C04-WBN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP |
| 通用存储器 | M24C04-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-WBN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP |
| 通用存储器 | M24C02-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-RMC6TG | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFPN(2x3) 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-DRMN3TP/K | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:4ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 通用存储器 | M24512-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24512-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24256-BRMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24256-BRDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24128-BWMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24128-BRMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24128-BRDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | ST25TV02K-AP6G3 | ST(意法半导体) | 系列:ST25TV02K |
| 通用存储器 | M93C86-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8,1K x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M93C76-RMN3TP/K | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI |
| 通用存储器 | M93C66-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M93C46-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb(128 x 8,64 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M34E04-FMC9TG | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFPN(2x3) 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C64-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C64S-FCU6T/TF | ST(意法半导体) | 系列:M24C64S-FCU |
| 通用存储器 | M24C64-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C64-FCU6TP/TF | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-XFBGA,WLCSP |
| 通用存储器 | M24C64-DRMN3TP/K | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:4ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C32-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C32-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C16-WMN6TP | ST(意法半导体) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 存储容量:16kbit 宽度:4mm(Max) 工作电源电压:3.3V,5V 工作电源电流(mA):2mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:0.4MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.5V 电源电流—最大值:2mA 系列:M24C16-W 组织:2kx8 编程电压:2.5Vto5.5V 访问时间:900ns 长度:5mm(Max) 高度:1.65mm(Max) 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 通用存储器 | M24C16-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C16-DRMN3TP/K | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C |
| 通用存储器 | M24C08-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C08-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C08-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C04-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C04-WBN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP |
| 通用存储器 | M24C04-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-WBN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP |
| 通用存储器 | M24C02-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-RMC6TG | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFPN(2x3) 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C02-DRMN3TP/K | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:4ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 通用存储器 | M24512-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24512-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24256-BRMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24256-BRDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24128-BWMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24128-BRMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24128-BRDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24128-BWMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24512-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24256-BRDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C08-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C16-WMN6TP | ST(意法半导体) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 存储容量:16kbit 宽度:4mm(Max) 工作电源电压:3.3V,5V 工作电源电流(mA):2mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:0.4MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.5V 电源电流—最大值:2mA 系列:M24C16-W 组织:2kx8 编程电压:2.5Vto5.5V 访问时间:900ns 长度:5mm(Max) 高度:1.65mm(Max) 工作温度:-40°C ~ 85°C |