| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | PHC21025,118 |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SO SO |
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 975 [库存更新时间：2025-04-19] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@2.2A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 3.5A,2.3A |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsPHC21025,118
产品概述
相关产品