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    逻辑比较器 74HCT85D,653 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:67,24.8 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:4 逻辑切换水平:TTL
    逻辑比较器 74HC85PW,118 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:102,28.7 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 LM2903AM8-13 系列:汽车级,AEC-Q100 FET类型:差分 元件数:2 电压-电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调(最大值):7mV @ 5V 电流-输入偏置(最大值):250nA @ 5V 电流-输出(典型值):16mA @ 5V 电流-静态(最大值):1.7mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-MSOP
    逻辑比较器 LM2903VQDR
    逻辑比较器 LM393DT ROHM(罗姆) 元件数:2 输出类型:CMOS,MOS,开路集电极,TTL 电压 - 电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调(最大值):7mV @ 5V 电流 - 输入偏置(最大值):0.25µA @ 5V 电流 - 输出(典型值):16mA @ 5V 电流 - 静态(最大值):2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC
    逻辑比较器 LM4565F-SGE2 ROHM(罗姆)
    逻辑比较器 74HC688D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:58,82 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC85D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:67,25 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 LM393DT ROHM(罗姆) 元件数:2 输出类型:CMOS,MOS,开路集电极,TTL 电压 - 电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调(最大值):7mV @ 5V 电流 - 输入偏置(最大值):0.25µA @ 5V 电流 - 输出(典型值):16mA @ 5V 电流 - 静态(最大值):2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC
    逻辑比较器 74HC85D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:67,25 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC85D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:25,67 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC688D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,58 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC688D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,58 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC85D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:25,67 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC85PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:102,28.7 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC688D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,58 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC688D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:58,82 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC688D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:58,82 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC85D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:25,67 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 74HC85D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:25,67 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS
    逻辑比较器 LM393DT ROHM(罗姆) 元件数:2 输出类型:CMOS,MOS,开路集电极,TTL 电压 - 电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调(最大值):7mV @ 5V 电流 - 输入偏置(最大值):0.25µA @ 5V 电流 - 输出(典型值):16mA @ 5V 电流 - 静态(最大值):2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC
    逻辑比较器 74HC688D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,58 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS

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