参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFT18N100Q3
说明	未分类   TO-268 16.05mm 16.05x14x5.1mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	638 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	18 A
漏源极电压Vds	1000 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	660 m0hms
栅极电压Vgs	6.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-268
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	830 W
典型接通延迟时间	37 ns
典型关断延迟时间	40 ns
漏源极电压Vds	4890 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
系列	HiperFET, Q3-Class
宽度	14mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	16.05mm
高度	5.1mm
封装/外壳	16.05 x 14 x 5.1mm
每片芯片元件数目	1 Ohms