IXFR64N60Q3

IXYS · 未分类

型号参数与资料

型号
IXFR64N60Q3
品牌
IXYS
类别
未分类
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id42 A
漏源极电压Vds600V
Rds On(Max)@Id,Vgs104 m0hms
栅极电压Vgs6.5V
栅极电压Vgs±30V
封装/外壳ISOPLUS247
引脚数目3
晶体管配置单
FET类型增强
类别功率 MOSFET
功率568 W
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1 Ohms
封装/外壳16.13 x 5.21 x 21.34mm
宽度5.21mm
系列HiperFET, Q3-Class
晶体管材料Si
漏源极电压Vds9930 pF @ 25 V
典型关断延迟时间50 ns
典型接通延迟时间45 ns
高度21.34mm
长度16.13mm
最低工作温度-55 °C

未分类   ISOPLUS247 16.13x5.21x21.34mm 16.13mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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