参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFT60N65X2HV
说明	未分类   TO-268HV 16.05mm 16.05x15.15x5.1mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	638 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	60 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	52 m0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	3.5V
栅极电压Vgs	±30 V
封装/外壳	TO-268HV
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	780 W
典型接通延迟时间	30 ns
典型关断延迟时间	63 ns
漏源极电压Vds	6300 pF @ 25 V
系列	HiperFET
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	15.15mm
长度	16.05mm
高度	5.1mm
正向跨导	38S
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	16.05 x 15.15 x 5.1mm
最高工作温度	+150 °C