参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFT94N30P3
说明	未分类   TO-268 16.05mm 16.05x14x5.1mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	638 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	94 A
漏源极电压Vds	300 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	36 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-268
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1040W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	16.05mm
高度	5.1mm
系列	HiperFET, Polar3
宽度	14mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	5510 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	49 ns
典型接通延迟时间	23 ns
封装/外壳	16.05 x 14 x 5.1mm