参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFR24N100Q3
说明	未分类   ISOPLUS247 16.13mm 16.13x5.21x21.34mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	638 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	18 A
漏源极电压Vds	1000 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	490 m0hms
栅极电压Vgs	6.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	ISOPLUS247
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	500W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	16.13mm
高度	21.34mm
系列	HiperFET, Q3-Class
宽度	5.21mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	7200 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	45 ns
典型接通延迟时间	38 ns
封装/外壳	16.13 x 5.21 x 21.34mm