参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLR3636TRLPBF
说明	功率MOSFET   6.73mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	651 [库存更新时间：2025-04-09]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 100µA
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	49nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3779pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	50V
连续漏极电流Id	99A
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.3mΩ
最小栅阈值电压	1V
引脚数目	3
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	143W
长度	6.73mm
高度	6.22mm
正向跨导	31S
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向二极管电压	1.3V
系列	HEXFET
典型关断延迟时间	43 ns
典型接通延迟时间	45 ns
宽度	2.39mm