参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6621TRPBF
说明	功率MOSFET   MG-WDSON-4
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2024-04-30]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	12A(Ta),55A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17.5nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1460pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	2.2W(Ta),42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.1mΩ@12A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	MG-WDSON-4