参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF6609
说明	未分类   DIRECTFET™MT DirectFET™等容MT
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现货	460 [库存更新时间：2024-04-18]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	31A(Ta),150A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	69nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6290pF @ 10V
功率	1.8W(Ta),89W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2 毫欧 @ 31A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	DIRECTFET™ MT
封装/外壳	DirectFET™ 等容 MT