参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF100B201
说明	功率MOSFET   TO-220
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-04-30]
系列	HEXFET®,StrongIRFET™
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	255nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	9500pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max)	441W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
RoHS compliant	yes
Moisture Level	NA
漏源极电压Vds	100V
封装/外壳	TO-220
Tj max	175.0°C
QG	170.0nC
Budgetary Price €€/1k	1.24
Ptot max	441.0W
FET类型	N-Channel
Qgd	45.0nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.2mΩ
栅极电压Vgs	20V
Mounting	THT
RthJC max	0.34K/W
连续漏极电流Id	136A