参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF5803TRPBF
说明	通用MOSFET   Micro6™(TSOP-6)
起订量	3
最小包	3
现货	415 [库存更新时间：2024-04-21]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	37nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1110pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	37nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1110pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	112mΩ@3.4A,10V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	3.4A
封装/外壳	Micro6™(TSOP-6)
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V