参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF9952TRPBF
说明	功率MOSFET   8-SO
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2025-12-05]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	190pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
Rds On(Max)@Id,Vgs	100mΩ@2.2A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	14nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	190pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	2W
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	3.5A,2.3A
封装/外壳	8-SO