参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF5803D2TRPBF
说明	未分类   8-SO 8-SOIC
起订量	4
最小包	4
现货	417 [库存更新时间：2024-04-22]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	3.4A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	37nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1110pF @ 25V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	2W
Rds On(Max)@Id,Vgs	112 毫欧 @ 3.4A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	8-SOIC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V