参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLML2502TRPBF
说明	功率MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
起订量	3
最小包	3
现货	416 [库存更新时间：2024-05-06]
系列	HEXFET®
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	4.2A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	740pF @ 15V
栅极电压Vgs	±12V
Pd-功率耗散(Max)	1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	45mΩ@4.2A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3